TIXER.RU

• 
  Сетевой адаптер 19V 2.1A 30W 0.7x2.5 Mini

  Купить
• 
  20-38 (100x62x18)

  Купить
• 
  ФД256, фотодиод

  Купить
• 
  KN-3

  Купить

Справочник по IGBT транзисторам. Datasheet на транзистор SGD02N120

Транзистор SGD02N120 Тип Single Vce, V 1200.0 Vge,V 20.0 Ic, A 6.200 Ic max, A 9.6 P, W 62.000 t min,C -55 t max,C 150 Rth,C 2.00 Vce sat. V 3.10 Cies,pF 205.0 Coes,pF 20.0 Cres,pF 12.0 t on, nS 23.00 t rise, nS 16.00 t off, nS 260.00 t fall, nS 61.00 Eon,mJ 0.160 Eoff,mJ 0.060 Etot,mJ 0.220 Qg, nC 11.0 Qgc,nC Qge,nC t rr,nS Qrr, nC Возможные корпуса TO-252 Производитель Infineon (Siemens) (http://infineon.com) Beijing Jingchuan Electronic Company (http://igbt.cn)

SGD02N120 Datasheet Infineon (Siemens)