Добро пожаловать в TIXER.RU, Войти или Зарегистрироваться

TIXER.RU

Справочник по IGBT транзисторам. Datasheet на транзистор SGB07N120

Транзистор	SGB07N120
Тип	Single
Vce, V	1200.0
Vge,V	20.0
Ic, A	16.500
Ic max, A	27.0
P, W	125.000
t min,C	-55
t max,C	150
Rth,C	1.00
Vce sat. V	3.10
Cies,pF	720.0
Coes,pF	60.0
Cres,pF	40.0
t on, nS	27.00
t rise, nS	29.00
t off, nS	440.00
t fall, nS	21.00
Eon,mJ	0.600
Eoff,mJ	0.400
Etot,mJ	1.000
Qg, nC	70.0
Qgc,nC
Qge,nC
t rr,nS
Qrr, nC
Возможные корпуса	TO-263
Производитель	Infineon (Siemens) (http://infineon.com) Beijing Jingchuan Electronic Company (http://igbt.cn)

	SGB07N120 Datasheet Infineon (Siemens)