Добро пожаловать в TIXER.RU, Войти или Зарегистрироваться

TIXER.RU

Справочник по IGBT транзисторам. Datasheet на транзистор SGB15N120

Транзистор	SGB15N120
Тип	Single
Vce, V	1200.0
Vge,V	20.0
Ic, A	30.000
Ic max, A	52.0
P, W	198.000
t min,C	-55
t max,C	150
Rth,C	0.63
Vce sat. V	3.10
Cies,pF	1250.0
Coes,pF	100.0
Cres,pF	65.0
t on, nS	18.00
t rise, nS	23.00
t off, nS	580.00
t fall, nS	22.00
Eon,mJ	1.100
Eoff,mJ	0.800
Etot,mJ	1.900
Qg, nC	130.0
Qgc,nC
Qge,nC
t rr,nS
Qrr, nC
Возможные корпуса	TO-263
Производитель	Infineon (Siemens) (http://infineon.com) Beijing Jingchuan Electronic Company (http://igbt.cn)

	SGB15N120 Datasheet Infineon (Siemens)