Добро пожаловать в TIXER.RU, Войти или Зарегистрироваться

TIXER.RU

Справочник по IGBT транзисторам. Datasheet на транзистор SGB30N60

Транзистор	SGB30N60
Тип	Single
Vce, V	600.0
Vge,V	20.0
Ic, A	41.000
Ic max, A	112.0
P, W	250.000
t min,C	-55
t max,C	150
Rth,C	0.50
Vce sat. V	2.10
Cies,pF	1600.0
Coes,pF	150.0
Cres,pF	92.0
t on, nS	44.00
t rise, nS	34.00
t off, nS	291.00
t fall, nS	58.00
Eon,mJ	0.640
Eoff,mJ	0.650
Etot,mJ	1.290
Qg, nC	140.0
Qgc,nC
Qge,nC
t rr,nS
Qrr, nC
Возможные корпуса	TO-263
Производитель	Infineon (Siemens) (http://infineon.com) Beijing Jingchuan Electronic Company (http://igbt.cn)

	SGB30N60 Datasheet Infineon (Siemens)