Добро пожаловать в TIXER.RU, Войти или Зарегистрироваться

TIXER.RU

Справочник по IGBT транзисторам. Datasheet на транзистор IGB10N60T

Транзистор	IGB10N60T
Тип	Single
Vce, V	600.0
Vge,V	20.0
Ic, A	20.000
Ic max, A	30.0
P, W	110.000
t min,C	-40
t max,C	175
Rth,C	1.35
Vce sat. V	1.50
Cies,pF	551.0
Coes,pF	24.0
Cres,pF	17.0
t on, nS	12.00
t rise, nS	8.00
t off, nS	215.00
t fall, nS	38.00
Eon,mJ	0.160
Eoff,mJ	0.270
Etot,mJ	0.430
Qg, nC	62.0
Qgc,nC
Qge,nC
t rr,nS
Qrr, nC
Возможные корпуса	TO-263
Производитель	Infineon (Siemens) (http://infineon.com)

	IGB10N60T Datasheet Infineon (Siemens)