Справочник по IGBT транзисторам. Datasheet на транзистор NGD8201A


ТранзисторNGD8201A
ТипSingle
Vce, V440.0
Vge,V15.0
Ic, A20.000
Ic max, A50.0
P, W125.000
t min,C-55
t max,C175
Rth,C1.20
Vce sat. V1.40
Cies,pF1300.0
Coes,pF80.0
Cres,pF20.0
t on, nS1500.00
t rise, nS6000.00
t off, nS8000.00
t fall, nS6000.00
Eon,mJ
Eoff,mJ
Etot,mJ
Qg, nC
Qgc,nC
Qge,nC
t rr,nS
Qrr, nC
Возможные корпусаTO-252
Производитель
  • ON (http://www.onsemi.com)
NGD8201A Datasheet ON