Справочник по IGBT транзисторам. Datasheet на транзистор RJP30E3DPP-M0


ТранзисторRJP30E3DPP-M0
ТипSingle
Vce, V360.0
Vge,V30.0
Ic, A40.000
Ic max, A250.0
P, W30.000
t min,C-55
t max,C150
Rth,C4.17
Vce sat. V1.60
Cies,pF1700.0
Coes,pF85.0
Cres,pF40.0
t on, nS40.00
t rise, nS120.00
t off, nS90.00
t fall, nS150.00
Eon,mJ
Eoff,mJ
Etot,mJ
Qg, nC52.0
Qgc,nC15.0
Qge,nC9.0
t rr,nS
Qrr, nC
Возможные корпусаTO-220FL
Производитель
  • Renesas (NEC, Hitachi) (http://ru.renesas.com)
RJP30E3DPP-M0 Datasheet Renesas (NEC, Hitachi)