Справочник по IGBT транзисторам. Datasheet на транзистор RJH60M2DPE


ТранзисторRJH60M2DPE
ТипSingle
Vce, V600.0
Vge,V30.0
Ic, A25.000
Ic max, A36.0
P, W63.000
t min,C-55
t max,C150
Rth,C1.98
Vce sat. V1.90
Cies,pF430.0
Coes,pF40.0
Cres,pF15.0
t on, nS32.00
t rise, nS18.00
t off, nS70.00
t fall, nS45.00
Eon,mJ0.180
Eoff,mJ0.180
Etot,mJ0.360
Qg, nC33.0
Qgc,nC19.0
Qge,nC5.0
t rr,nS85.0
Qrr, nC140.00
Возможные корпуса
Производитель
  • Renesas (NEC, Hitachi) (http://ru.renesas.com)
RJH60M2DPE Datasheet Renesas (NEC, Hitachi)