Справочник по IGBT транзисторам. Datasheet на транзистор RJP60F0DPE


ТранзисторRJP60F0DPE
ТипSingle
Vce, V600.0
Vge,V30.0
Ic, A50.000
Ic max, A100.0
P, W122.000
t min,C-55
t max,C150
Rth,C1.02
Vce sat. V1.40
Cies,pF1550.0
Coes,pF82.0
Cres,pF26.0
t on, nS46.00
t rise, nS92.00
t off, nS70.00
t fall, nS90.00
Eon,mJ
Eoff,mJ
Etot,mJ
Qg, nC
Qgc,nC
Qge,nC
t rr,nS
Qrr, nC
Возможные корпуса
Производитель
  • Renesas (NEC, Hitachi) (http://ru.renesas.com)
RJP60F0DPE Datasheet Renesas (NEC, Hitachi)