Справочник по IGBT транзисторам. Datasheet на транзистор RJP6085DPN-00


ТранзисторRJP6085DPN-00
ТипSingle
Vce, V600.0
Vge,V30.0
Ic, A40.000
Ic max, A80.0
P, W178.500
t min,C-55
t max,C150
Rth,C0.70
Vce sat. V2.65
Cies,pF1150.0
Coes,pF105.0
Cres,pF12.0
t on, nS30.00
t rise, nS60.00
t off, nS60.00
t fall, nS40.00
Eon,mJ
Eoff,mJ
Etot,mJ
Qg, nC
Qgc,nC
Qge,nC
t rr,nS
Qrr, nC
Возможные корпусаTO-220AB
Производитель
  • Renesas (NEC, Hitachi) (http://ru.renesas.com)
RJP6085DPN-00 Datasheet Renesas (NEC, Hitachi)