Справочник по IGBT транзисторам. Datasheet на транзистор RJH60C9DPD


ТранзисторRJH60C9DPD
ТипSingle
Vce, V600.0
Vge,V30.0
Ic, A10.000
Ic max, A20.0
P, W45.000
t min,C-55
t max,C150
Rth,C2.78
Vce sat. V1.90
Cies,pF180.0
Coes,pF19.0
Cres,pF7.0
t on, nS25.00
t rise, nS50.00
t off, nS40.00
t fall, nS250.00
Eon,mJ
Eoff,mJ
Etot,mJ
Qg, nC8.0
Qgc,nC2.5
Qge,nC5.0
t rr,nS100.0
Qrr, nC
Возможные корпусаTO-252
Производитель
  • Renesas (NEC, Hitachi) (http://ru.renesas.com)
RJH60C9DPD Datasheet Renesas (NEC, Hitachi)