Справочник по IGBT транзисторам. Datasheet на транзистор RJH60D1DPE


ТранзисторRJH60D1DPE
ТипSingle
Vce, V600.0
Vge,V30.0
Ic, A20.000
Ic max, A40.0
P, W52.000
t min,C-55
t max,C150
Rth,C2.38
Vce sat. V1.90
Cies,pF275.0
Coes,pF30.0
Cres,pF7.5
t on, nS30.00
t rise, nS13.00
t off, nS42.00
t fall, nS75.00
Eon,mJ0.100
Eoff,mJ0.130
Etot,mJ0.230
Qg, nC13.0
Qgc,nC5.0
Qge,nC3.0
t rr,nS100.0
Qrr, nC180.00
Возможные корпуса
Производитель
  • Renesas (NEC, Hitachi) (http://ru.renesas.com)
RJH60D1DPE Datasheet Renesas (NEC, Hitachi)