Справочник по IGBT транзисторам. Datasheet на транзистор RJH60D3DPE


ТранзисторRJH60D3DPE
ТипSingle
Vce, V600.0
Vge,V30.0
Ic, A35.000
Ic max, A70.0
P, W113.000
t min,C-55
t max,C150
Rth,C1.11
Vce sat. V1.60
Cies,pF900.0
Coes,pF60.0
Cres,pF25.0
t on, nS35.00
t rise, nS16.00
t off, nS80.00
t fall, nS70.00
Eon,mJ0.200
Eoff,mJ0.210
Etot,mJ0.410
Qg, nC37.0
Qgc,nC16.0
Qge,nC6.0
t rr,nS100.0
Qrr, nC150.00
Возможные корпуса
Производитель
  • Renesas (NEC, Hitachi) (http://ru.renesas.com)
RJH60D3DPE Datasheet Renesas (NEC, Hitachi)