Справочник по IGBT транзисторам. Datasheet на транзистор RJP4009ANS


ТранзисторRJP4009ANS
ТипSingle
Vce, V400.0
Vge,V6.0
Ic, A
Ic max, A150.0
P, W1.800
t min,C-40
t max,C150
Rth,C
Vce sat. V4.00
Cies,pF5500.0
Coes,pF
Cres,pF
t on, nS
t rise, nS
t off, nS
t fall, nS
Eon,mJ
Eoff,mJ
Etot,mJ
Qg, nC
Qgc,nC
Qge,nC
t rr,nS
Qrr, nC
Возможные корпусаVSON8DV
Производитель
  • Renesas (NEC, Hitachi) (http://ru.renesas.com)
RJP4009ANS Datasheet Renesas (NEC, Hitachi)