Справочник по IGBT транзисторам. Datasheet на транзистор GT10G131


ТранзисторGT10G131
ТипSingle
Vce, V400.0
Vge,V6.0
Ic, A200.000
Ic max, A200.0
P, W1.900
t min,C-55
t max,C150
Rth,C65.80
Vce sat. V2.30
Cies,pF2800.0
Coes,pF
Cres,pF
t on, nS3100.00
t rise, nS2800.00
t off, nS2000.00
t fall, nS1800.00
Eon,mJ
Eoff,mJ
Etot,mJ
Qg, nC
Qgc,nC
Qge,nC
t rr,nS
Qrr, nC
Возможные корпусаSOP-8
Производитель
  • Toshiba (http://www.semicon.toshiba.co.jp/eng/index.html)
GT10G131 Datasheet Toshiba