Справочник по IGBT транзисторам. Datasheet на транзистор IXGJ50N60C4D1


ТранзисторIXGJ50N60C4D1
ТипSingle
Vce, V600.0
Vge,V20.0
Ic, A52.000
Ic max, A220.0
P, W125.000
t min,C-55
t max,C150
Rth,C1.00
Vce sat. V1.95
Cies,pF1900.0
Coes,pF100.0
Cres,pF60.0
t on, nS40.00
t rise, nS66.00
t off, nS270.00
t fall, nS63.00
Eon,mJ0.950
Eoff,mJ0.840
Etot,mJ
Qg, nC113.0
Qgc,nC44.0
Qge,nC13.0
t rr,nS25.0
Qrr, nC
Возможные корпусаTO-247
Производитель
  • IXYS (http://www.ixyspower.com)
IXGJ50N60C4D1 Datasheet IXYS