Справочник по IGBT транзисторам. Datasheet на транзистор IXGN82N120B3H1


ТранзисторIXGN82N120B3H1
Тип-
Vce, V1200.0
Vge,V
Ic, A145.000
Ic max, A
P, W
t min,C
t max,C
Rth,C
Vce sat. V3.20
Cies,pF
Coes,pF
Cres,pF
t on, nS
t rise, nS
t off, nS
t fall, nS100.00
Eon,mJ
Eoff,mJ
Etot,mJ
Qg, nC
Qgc,nC
Qge,nC
t rr,nS
Qrr, nC
Возможные корпусаSOT-227
Производитель
  • IXYS (http://www.ixyspower.com)
IXGN82N120B3H1 Datasheet IXYS