Справочник по IGBT транзисторам. Datasheet на транзистор MMIX1G75N250


ТранзисторMMIX1G75N250
ТипSingle
Vce, V2500.0
Vge,V20.0
Ic, A110.000
Ic max, A580.0
P, W430.000
t min,C-55
t max,C150
Rth,C0.29
Vce sat. V2.50
Cies,pF9000.0
Coes,pF345.0
Cres,pF110.0
t on, nS55.00
t rise, nS225.00
t off, nS270.00
t fall, nS455.00
Eon,mJ
Eoff,mJ
Etot,mJ
Qg, nC410.0
Qgc,nC175.0
Qge,nC63.0
t rr,nS
Qrr, nC
Возможные корпусаSMPD
Производитель
  • IXYS (http://www.ixyspower.com)
MMIX1G75N250 Datasheet IXYS