Справочник по IGBT транзисторам. Datasheet на транзистор IXBF9N160G


ТранзисторIXBF9N160G
ТипSingle
Vce, V1600.0
Vge,V20.0
Ic, A7.000
Ic max, A12.0
P, W70.000
t min,C-55
t max,C150
Rth,C1.75
Vce sat. V4.90
Cies,pF550.0
Coes,pF
Cres,pF
t on, nS140.00
t rise, nS200.00
t off, nS120.00
t fall, nS70.00
Eon,mJ
Eoff,mJ
Etot,mJ
Qg, nC34.0
Qgc,nC
Qge,nC
t rr,nS
Qrr, nC
Возможные корпусаI4-PAK
Производитель
  • IXYS (http://www.ixyspower.com)
IXBF9N160G Datasheet IXYS