Справочник по IGBT транзисторам. Datasheet на транзистор IXBT10N170


ТранзисторIXBT10N170
Тип-
Vce, V1700.0
Vge,V
Ic, A16.000
Ic max, A
P, W
t min,C
t max,C
Rth,C
Vce sat. V2.30
Cies,pF
Coes,pF
Cres,pF
t on, nS
t rise, nS
t off, nS
t fall, nS1200.00
Eon,mJ
Eoff,mJ
Etot,mJ
Qg, nC
Qgc,nC
Qge,nC
t rr,nS
Qrr, nC
Возможные корпусаTO-268
Производитель
  • IXYS (http://www.ixyspower.com)
IXBT10N170 Datasheet IXYS