Справочник по IGBT транзисторам. Datasheet на транзистор T0510VB45E


ТранзисторT0510VB45E
ТипSingle
Vce, V4500.0
Vge,V20.0
Ic, A510.000
Ic max, A1020.0
P, W4100.000
t min,C-40
t max,C125
Rth,C0.02
Vce sat. V2.75
Cies,pF90000.0
Coes,pF
Cres,pF
t on, nS3800.00
t rise, nS3300.00
t off, nS2300.00
t fall, nS2700.00
Eon,mJ4200.000
Eoff,mJ2100.000
Etot,mJ
Qg, nC10000.0
Qgc,nC
Qge,nC
t rr,nS
Qrr, nC
Возможные корпуса
Производитель
  • IXYS (http://www.ixyspower.com)
T0510VB45E Datasheet IXYS