TIXER.RU

• 
  KAN1210-0731B 12x12x7 mm

  Купить
• 
  Резистор С2-23 2W-1R-5%

  Купить
• 
  KAN0441-0252B 6x3.5x2.55 mm

  Купить
• 
  Вентилятор 50x50x10 5 Вольт

  Купить

Справочник по IGBT транзисторам. Datasheet на транзистор GA300TD60S

Транзистор GA300TD60S Тип Half bridge Vce, V 600.0 Vge,V 20.0 Ic, A 530.000 Ic max, A 800.0 P, W 1136.000 t min,C -40 t max,C 150 Rth,C 0.11 Vce sat. V 1.24 Cies,pF Coes,pF Cres,pF t on, nS 442.00 t rise, nS 301.00 t off, nS 406.00 t fall, nS 1570.00 Eon,mJ 9.000 Eoff,mJ 90.000 Etot,mJ 99.000 Qg, nC Qgc,nC Qge,nC t rr,nS 150.0 Qrr, nC 3900.00 Возможные корпуса Производитель Vishay (Siliconix,General Semiconductor) (http://www.vishay.com)

GA300TD60S Datasheet Vishay (Siliconix,General Semiconductor)