Добро пожаловать в TIXER.RU, Войти или Зарегистрироваться

TIXER.RU

Справочник по IGBT транзисторам. Datasheet на транзистор GB200TS60NPBF

Транзистор	GB200TS60NPBF
Тип	Half bridge
Vce, V	600.0
Vge,V	20.0
Ic, A	142.000
Ic max, A	400.0
P, W	781.000
t min,C	-40
t max,C	150
Rth,C	0.13
Vce sat. V	2.60
Cies,pF
Coes,pF
Cres,pF
t on, nS	507.00
t rise, nS	133.00
t off, nS	538.00
t fall, nS	92.00
Eon,mJ	3.650
Eoff,mJ	6.900
Etot,mJ	10.550
Qg, nC
Qgc,nC
Qge,nC
t rr,nS	226.0
Qrr, nC	1900.00
Возможные корпуса	INT-A-Pak
Производитель	Vishay (Siliconix,General Semiconductor) (http://www.vishay.com)

	GB200TS60NPBF Datasheet Vishay (Siliconix,General Semiconductor)