Справочник по IGBT транзисторам. Datasheet на транзистор APT200GN60J


ТранзисторAPT200GN60J
ТипSingle
Vce, V600.0
Vge,V20.0
Ic, A158.000
Ic max, A600.0
P, W682.000
t min,C-55
t max,C175
Rth,C0.22
Vce sat. V1.19
Cies,pF14100.0
Coes,pF4610.0
Cres,pF4000.0
t on, nS50.00
t rise, nS80.00
t off, nS560.00
t fall, nS100.00
Eon,mJ13.000
Eoff,mJ11.000
Etot,mJ
Qg, nC1180.0
Qgc,nC660.0
Qge,nC85.0
t rr,nS
Qrr, nC
Возможные корпусаSOT-227
Производитель
  • Microsemi (http://www.microsemi.com)
APT200GN60J Datasheet Microsemi