Справочник по IGBT транзисторам. Datasheet на транзистор APT35GP120J


ТранзисторAPT35GP120J
ТипSingle
Vce, V1200.0
Vge,V20.0
Ic, A29.000
Ic max, A140.0
P, W284.000
t min,C-55
t max,C150
Rth,C0.44
Vce sat. V2.80
Cies,pF3423.0
Coes,pF252.0
Cres,pF30.0
t on, nS14.00
t rise, nS29.00
t off, nS147.00
t fall, nS90.00
Eon,mJ1190.000
Eoff,mJ1484.000
Etot,mJ
Qg, nC150.0
Qgc,nC62.0
Qge,nC21.0
t rr,nS
Qrr, nC
Возможные корпусаSOT-227
Производитель
  • Microsemi (http://www.microsemi.com)
APT35GP120J Datasheet Microsemi