Справочник по полевым транзисторам. Datasheet на транзистор IRFW710B


ТранзисторIRFW710B
ТипN
Vds, V400
Vgs, V30.0
Idr, A2.00000
Idm, A6.0
Eas,mJ100.0
Ear,mJ3.6
dV/dt,V/ns5.50
P, W36.000
t min, °C-55
t max, °C150
Rth, C3.440
Rds, Ohm2.70000
Ciss, pF250.0
Coss, pF30.0
Crss, pF6.000
Qg, nC7.70
Qgs, nC1.50
Qgd, nC3.20
t on, nS6.00
t rise,ns25.00
t off,ns20.00
t fall,ns25.00
t rr, nS210.0
Возможные корпусаTO-263
Производитель
  • FairChild (Samsung) (http://www.fairchildsemi.com)
IRFW710B Datasheet FairChild (Samsung)