Справочник по полевым транзисторам. Datasheet на транзистор IRFW610B


ТранзисторIRFW610B
ТипN
Vds, V200
Vgs, V30.0
Idr, A3.30000
Idm, A10.0
Eas,mJ40.0
Ear,mJ3.8
dV/dt,V/ns5.50
P, W38.000
t min, °C-55
t max, °C150
Rth, C3.280
Rds, Ohm1.16000
Ciss, pF175.0
Coss, pF30.0
Crss, pF6.800
Qg, nC7.20
Qgs, nC1.30
Qgd, nC3.50
t on, nS5.20
t rise,ns35.00
t off,ns20.00
t fall,ns25.00
t rr, nS106.0
Возможные корпусаTO-263
Производитель
  • FairChild (Samsung) (http://www.fairchildsemi.com)
IRFW610B Datasheet FairChild (Samsung)