Справочник по полевым транзисторам. Datasheet на транзистор SIA425EDJ-T1-GE3


ТранзисторSIA425EDJ-T1-GE3
ТипP
Vds, V20
Vgs, V1.0
Idr, A4.50000
Idm, A
Eas,mJ
Ear,mJ
dV/dt,V/ns
P, W15.600
t min, °C
t max, °C
Rth, C0.000
Rds, Ohm0.06000
Ciss, pF
Coss, pF
Crss, pF
Qg, nC
Qgs, nC
Qgd, nC
t on, nS
t rise,ns
t off,ns
t fall,ns
t rr, nS
Возможные корпусаDFN2x2-6
Производитель
  • Vishay (Siliconix,General Semiconductor) (http://www.vishay.com)
SIA425EDJ-T1-GE3 Datasheet Vishay (Siliconix,General Semiconductor)