Справочник по полевым транзисторам. Datasheet на транзистор SI7898DP-T1-GE3


ТранзисторSI7898DP-T1-GE3
ТипN
Vds, V150
Vgs, V4.0
Idr, A3.00000
Idm, A
Eas,mJ
Ear,mJ
dV/dt,V/ns
P, W1.900
t min, °C
t max, °C
Rth, C0.000
Rds, Ohm0.08500
Ciss, pF
Coss, pF
Crss, pF
Qg, nC21.00
Qgs, nC
Qgd, nC
t on, nS
t rise,ns
t off,ns
t fall,ns
t rr, nS
Возможные корпусаSOT-669
Производитель
  • Others ()
SI7898DP-T1-GE3 Datasheet Others