Справочник по полевым транзисторам. Datasheet на транзистор SI4190DY-T1-GE3


ТранзисторSI4190DY-T1-GE3
ТипN
Vds, V100
Vgs, V20.0
Idr, A20.00000
Idm, A70.0
Eas,mJ45.0
Ear,mJ
dV/dt,V/ns
P, W7.800
t min, °C-55
t max, °C150
Rth, C29.000
Rds, Ohm0.00730
Ciss, pF2000.0
Coss, pF1120.0
Crss, pF56.000
Qg, nC18.30
Qgs, nC5.40
Qgd, nC7.30
t on, nS10.00
t rise,ns10.00
t off,ns40.00
t fall,ns11.00
t rr, nS51.0
Возможные корпусаSO-8
Производитель
  • Vishay (Siliconix,General Semiconductor) (http://www.vishay.com)
SI4190DY-T1-GE3 Datasheet Vishay (Siliconix,General Semiconductor)