Справочник по полевым транзисторам. Datasheet на транзистор SIS892DN-T1-GE3


ТранзисторSIS892DN-T1-GE3
ТипN
Vds, V100
Vgs, V20.0
Idr, A30.00000
Idm, A50.0
Eas,mJ5.0
Ear,mJ
dV/dt,V/ns
P, W52.000
t min, °C-55
t max, °C150
Rth, C1.900
Rds, Ohm0.02400
Ciss, pF611.0
Coss, pF404.0
Crss, pF36.000
Qg, nC6.70
Qgs, nC1.60
Qgd, nC3.60
t on, nS8.00
t rise,ns11.00
t off,ns21.00
t fall,ns9.00
t rr, nS32.0
Возможные корпусаPowerPAK 1212-8
Производитель
  • Vishay (Siliconix,General Semiconductor) (http://www.vishay.com)
SIS892DN-T1-GE3 Datasheet Vishay (Siliconix,General Semiconductor)