Справочник по полевым транзисторам. Datasheet на транзистор IPB123N10N3G


ТранзисторIPB123N10N3G
ТипN
Vds, V100
Vgs, V20.0
Idr, A58.00000
Idm, A232.0
Eas,mJ70.0
Ear,mJ
dV/dt,V/ns
P, W94.000
t min, °C-55
t max, °C175
Rth, C1.600
Rds, Ohm0.01070
Ciss, pF1880.0
Coss, pF330.0
Crss, pF14.000
Qg, nC26.00
Qgs, nC9.00
Qgd, nC5.00
t on, nS14.00
t rise,ns8.00
t off,ns24.00
t fall,ns5.00
t rr, nS61.0
Возможные корпусаTO-263
Производитель
  • Infineon (Siemens) (http://infineon.com)
IPB123N10N3G Datasheet Infineon (Siemens)