Добро пожаловать в TIXER.RU, Войти или Зарегистрироваться

TIXER.RU

Справочник по полевым транзисторам. Datasheet на транзистор IPB123N10N3G

Транзистор	IPB123N10N3G
Тип	N
Vds, V	100
Vgs, V	20.0
Idr, A	58.00000
Idm, A	232.0
Eas,mJ	70.0
Ear,mJ
dV/dt,V/ns
P, W	94.000
t min, °C	-55
t max, °C	175
Rth, C	1.600
Rds, Ohm	0.01070
Ciss, pF	1880.0
Coss, pF	330.0
Crss, pF	14.000
Qg, nC	26.00
Qgs, nC	9.00
Qgd, nC	5.00
t on, nS	14.00
t rise,ns	8.00
t off,ns	24.00
t fall,ns	5.00
t rr, nS	61.0
Возможные корпуса	TO-263
Производитель	Infineon (Siemens) (http://infineon.com)

	IPB123N10N3G Datasheet Infineon (Siemens)