Справочник по полевым транзисторам. Datasheet на транзистор SIA433EDJ-T1-GE3


ТранзисторSIA433EDJ-T1-GE3
ТипP
Vds, V20
Vgs, V1.2
Idr, A12.00000
Idm, A
Eas,mJ
Ear,mJ
dV/dt,V/ns
P, W19.000
t min, °C
t max, °C
Rth, C0.000
Rds, Ohm0.01800
Ciss, pF
Coss, pF
Crss, pF
Qg, nC75.00
Qgs, nC
Qgd, nC
t on, nS
t rise,ns
t off,ns
t fall,ns
t rr, nS
Возможные корпусаDFN2x2-6
Производитель
  • Vishay (Siliconix,General Semiconductor) (http://www.vishay.com)
SIA433EDJ-T1-GE3 Datasheet Vishay (Siliconix,General Semiconductor)