Справочник по полевым транзисторам. Datasheet на транзистор SI3430DV-T1-GE3


ТранзисторSI3430DV-T1-GE3
ТипN
Vds, V100
Vgs, V2.0
Idr, A1.80000
Idm, A
Eas,mJ
Ear,mJ
dV/dt,V/ns
P, W1.140
t min, °C
t max, °C
Rth, C0.000
Rds, Ohm0.17000
Ciss, pF
Coss, pF
Crss, pF
Qg, nC6.60
Qgs, nC
Qgd, nC
t on, nS
t rise,ns
t off,ns
t fall,ns
t rr, nS
Возможные корпусаSOT-457
Производитель
  • Vishay (Siliconix,General Semiconductor) (http://www.vishay.com)
SI3430DV-T1-GE3 Datasheet Vishay (Siliconix,General Semiconductor)