Справочник по полевым транзисторам. Datasheet на транзистор SI5855CDC-T1-E3


ТранзисторSI5855CDC-T1-E3
ТипP
Vds, V20
Vgs, V8.0
Idr, A3.70000
Idm, A10.0
Eas,mJ
Ear,mJ
dV/dt,V/ns
P, W2.800
t min, °C-55
t max, °C150
Rth, C82.000
Rds, Ohm0.12000
Ciss, pF276.0
Coss, pF60.0
Crss, pF43.000
Qg, nC4.10
Qgs, nC0.60
Qgd, nC1.00
t on, nS5.00
t rise,ns14.00
t off,ns17.00
t fall,ns8.00
t rr, nS23.0
Возможные корпусаChipFET,DFN3x2
Производитель
  • Vishay (Siliconix,General Semiconductor) (http://www.vishay.com)
SI5855CDC-T1-E3 Datasheet Vishay (Siliconix,General Semiconductor)