Справочник по полевым транзисторам. Datasheet на транзистор SIA811ADJ-T1-GE3


ТранзисторSIA811ADJ-T1-GE3
ТипP
Vds, V20
Vgs, V8.0
Idr, A4.50000
Idm, A8.0
Eas,mJ
Ear,mJ
dV/dt,V/ns
P, W6.500
t min, °C-55
t max, °C150
Rth, C15.000
Rds, Ohm0.09600
Ciss, pF345.0
Coss, pF65.0
Crss, pF50.000
Qg, nC4.90
Qgs, nC0.75
Qgd, nC1.20
t on, nS5.00
t rise,ns10.00
t off,ns20.00
t fall,ns10.00
t rr, nS30.0
Возможные корпусаDFN2x2-6
Производитель
  • Vishay (Siliconix,General Semiconductor) (http://www.vishay.com)
SIA811ADJ-T1-GE3 Datasheet Vishay (Siliconix,General Semiconductor)