Справочник по полевым транзисторам. Datasheet на транзистор SI2316BDS-T1-E3


ТранзисторSI2316BDS-T1-E3
ТипN
Vds, V30
Vgs, V20.0
Idr, A4.50000
Idm, A20.0
Eas,mJ
Ear,mJ
dV/dt,V/ns
P, W1.660
t min, °C-55
t max, °C150
Rth, C80.000
Rds, Ohm0.04100
Ciss, pF350.0
Coss, pF65.0
Crss, pF37.000
Qg, nC3.16
Qgs, nC1.56
Qgd, nC1.10
t on, nS4.50
t rise,ns11.00
t off,ns12.00
t fall,ns7.00
t rr, nS10.0
Возможные корпусаSOT-23
Производитель
  • Vishay (Siliconix,General Semiconductor) (http://www.vishay.com)
SI2316BDS-T1-E3 Datasheet Vishay (Siliconix,General Semiconductor)