Справочник по полевым транзисторам. Datasheet на транзистор SI2316DS-T1-GE3


ТранзисторSI2316DS-T1-GE3
ТипN
Vds, V30
Vgs, V0.8
Idr, A2.90000
Idm, A
Eas,mJ
Ear,mJ
dV/dt,V/ns
P, W0.700
t min, °C
t max, °C
Rth, C0.000
Rds, Ohm0.05000
Ciss, pF215.0
Coss, pF
Crss, pF
Qg, nC7.00
Qgs, nC
Qgd, nC
t on, nS
t rise,ns
t off,ns
t fall,ns
t rr, nS
Возможные корпусаSOT-23,SOT-346
Производитель
  • Vishay (Siliconix,General Semiconductor) (http://www.vishay.com)
SI2316DS-T1-GE3 Datasheet Vishay (Siliconix,General Semiconductor)