TIXER.RU

• 
  Изолента зеленая 15мм*20м

  Купить
• 
  Отладочная плата ПЛИС FPGA Cyclone IV EP4CE6E22C8N

  Купить
• 
  Резистор С1-4 0,5W-10K-5%

  Купить
• 
  Губка для очистки жала паяльника 50х36мм

  Купить

Справочник по полевым транзисторам. Datasheet на транзистор SI3812DV-T1-GE3

Транзистор SI3812DV-T1-GE3 Тип N Vds, V 20 Vgs, V 12.0 Idr, A 2.00000 Idm, A 8.0 Eas,mJ Ear,mJ dV/dt,V/ns P, W 0.830 t min, °C -55 t max, °C 150 Rth, C 140.000 Rds, Ohm 0.10000 Ciss, pF Coss, pF Crss, pF Qg, nC 2.10 Qgs, nC 0.30 Qgd, nC 0.40 t on, nS 10.00 t rise,ns 30.00 t off,ns 14.00 t fall,ns 6.00 t rr, nS 30.0 Возможные корпуса SOT-457 Производитель Vishay (Siliconix,General Semiconductor) (http://www.vishay.com)

SI3812DV-T1-GE3 Datasheet Vishay (Siliconix,General Semiconductor)