Справочник по полевым транзисторам. Datasheet на транзистор SI3812DV-T1-GE3


ТранзисторSI3812DV-T1-GE3
ТипN
Vds, V20
Vgs, V12.0
Idr, A2.00000
Idm, A8.0
Eas,mJ
Ear,mJ
dV/dt,V/ns
P, W0.830
t min, °C-55
t max, °C150
Rth, C140.000
Rds, Ohm0.10000
Ciss, pF
Coss, pF
Crss, pF
Qg, nC2.10
Qgs, nC0.30
Qgd, nC0.40
t on, nS10.00
t rise,ns30.00
t off,ns14.00
t fall,ns6.00
t rr, nS30.0
Возможные корпусаSOT-457
Производитель
  • Vishay (Siliconix,General Semiconductor) (http://www.vishay.com)
SI3812DV-T1-GE3 Datasheet Vishay (Siliconix,General Semiconductor)