Справочник по полевым транзисторам. Datasheet на транзистор SIRA12DP-T1-GE3


ТранзисторSIRA12DP-T1-GE3
ТипN
Vds, V30
Vgs, V16.0
Idr, A25.00000
Idm, A80.0
Eas,mJ11.0
Ear,mJ
dV/dt,V/ns
P, W31.000
t min, °C-55
t max, °C150
Rth, C3.200
Rds, Ohm0.00320
Ciss, pF2070.0
Coss, pF600.0
Crss, pF51.000
Qg, nC13.60
Qgs, nC5.20
Qgd, nC2.60
t on, nS10.00
t rise,ns10.00
t off,ns25.00
t fall,ns10.00
t rr, nS27.0
Возможные корпусаSOT-669
Производитель
  • Vishay (Siliconix,General Semiconductor) (http://www.vishay.com)
SIRA12DP-T1-GE3 Datasheet Vishay (Siliconix,General Semiconductor)