Справочник по полевым транзисторам. Datasheet на транзистор SIRA10DP-T1-GE3


ТранзисторSIRA10DP-T1-GE3
ТипN
Vds, V30
Vgs, V16.0
Idr, A30.00000
Idm, A80.0
Eas,mJ20.0
Ear,mJ
dV/dt,V/ns
P, W40.000
t min, °C-55
t max, °C150
Rth, C2.500
Rds, Ohm0.00280
Ciss, pF2425.0
Coss, pF730.0
Crss, pF65.000
Qg, nC15.40
Qgs, nC5.80
Qgd, nC2.60
t on, nS10.00
t rise,ns10.00
t off,ns27.00
t fall,ns10.00
t rr, nS31.0
Возможные корпусаSOT-669
Производитель
  • Vishay (Siliconix,General Semiconductor) (http://www.vishay.com)
SIRA10DP-T1-GE3 Datasheet Vishay (Siliconix,General Semiconductor)