Справочник по полевым транзисторам. Datasheet на транзистор SIRA06DP-T1-GE3


ТранзисторSIRA06DP-T1-GE3
ТипN
Vds, V30
Vgs, V16.0
Idr, A40.00000
Idm, A80.0
Eas,mJ20.0
Ear,mJ
dV/dt,V/ns
P, W62.500
t min, °C-55
t max, °C150
Rth, C1.600
Rds, Ohm0.00205
Ciss, pF3595.0
Coss, pF1040.0
Crss, pF79.000
Qg, nC22.50
Qgs, nC8.60
Qgd, nC4.00
t on, nS12.00
t rise,ns10.00
t off,ns30.00
t fall,ns8.00
t rr, nS36.0
Возможные корпусаSOT-669
Производитель
  • Vishay (Siliconix,General Semiconductor) (http://www.vishay.com)
SIRA06DP-T1-GE3 Datasheet Vishay (Siliconix,General Semiconductor)