Справочник по полевым транзисторам. Datasheet на транзистор SI8417DB-T2-E1


ТранзисторSI8417DB-T2-E1
ТипP
Vds, V12
Vgs, V8.0
Idr, A14.50000
Idm, A20.0
Eas,mJ
Ear,mJ
dV/dt,V/ns
P, W6.570
t min, °C-55
t max, °C150
Rth, C35.000
Rds, Ohm0.01740
Ciss, pF2220.0
Coss, pF865.0
Crss, pF555.000
Qg, nC35.00
Qgs, nC7.30
Qgd, nC5.90
t on, nS14.00
t rise,ns25.00
t off,ns380.00
t fall,ns240.00
t rr, nS311.0
Возможные корпусаChip
Производитель
  • Vishay (Siliconix,General Semiconductor) (http://www.vishay.com)
SI8417DB-T2-E1 Datasheet Vishay (Siliconix,General Semiconductor)