Справочник по полевым транзисторам. Datasheet на транзистор SI8441DB-T2-E1


ТранзисторSI8441DB-T2-E1
ТипP
Vds, V20
Vgs, V5.0
Idr, A10.50000
Idm, A15.0
Eas,mJ
Ear,mJ
dV/dt,V/ns
P, W13.000
t min, °C-55
t max, °C150
Rth, C7.000
Rds, Ohm0.06600
Ciss, pF600.0
Coss, pF130.0
Crss, pF70.000
Qg, nC7.70
Qgs, nC0.85
Qgd, nC1.60
t on, nS15.00
t rise,ns30.00
t off,ns35.00
t fall,ns10.00
t rr, nS20.0
Возможные корпусаChip
Производитель
  • Vishay (Siliconix,General Semiconductor) (http://www.vishay.com)
SI8441DB-T2-E1 Datasheet Vishay (Siliconix,General Semiconductor)