Справочник по полевым транзисторам. Datasheet на транзистор SIR812DP-T1-GE3


ТранзисторSIR812DP-T1-GE3
ТипN
Vds, V30
Vgs, V2.3
Idr, A60.00000
Idm, A
Eas,mJ
Ear,mJ
dV/dt,V/ns
P, W104.000
t min, °C
t max, °C
Rth, C0.000
Rds, Ohm0.00140
Ciss, pF10240.0
Coss, pF
Crss, pF
Qg, nC335.00
Qgs, nC
Qgd, nC
t on, nS
t rise,ns
t off,ns
t fall,ns
t rr, nS
Возможные корпусаSOT-669
Производитель
  • Others ()
SIR812DP-T1-GE3 Datasheet Others