Справочник по полевым транзисторам. Datasheet на транзистор SQR40N10-25-GE3


ТранзисторSQR40N10-25-GE3
ТипN
Vds, V100
Vgs, V20.0
Idr, A40.00000
Idm, A160.0
Eas,mJ80.0
Ear,mJ136.0
dV/dt,V/ns
P, W136.000
t min, °C-55
t max, °C175
Rth, C1.100
Rds, Ohm0.01900
Ciss, pF2703.0
Coss, pF312.0
Crss, pF127.000
Qg, nC46.00
Qgs, nC8.20
Qgd, nC13.00
t on, nS11.00
t rise,ns11.00
t off,ns27.00
t fall,ns6.00
t rr, nS
Возможные корпусаTO-252
Производитель
  • Vishay (Siliconix,General Semiconductor) (http://www.vishay.com)
SQR40N10-25-GE3 Datasheet Vishay (Siliconix,General Semiconductor)