Справочник по полевым транзисторам. Datasheet на транзистор SQM40N10-30-GE3


ТранзисторSQM40N10-30-GE3
ТипN
Vds, V100
Vgs, V20.0
Idr, A40.00000
Idm, A155.0
Eas,mJ80.0
Ear,mJ
dV/dt,V/ns
P, W107.000
t min, °C-55
t max, °C175
Rth, C1.400
Rds, Ohm0.02300
Ciss, pF2676.0
Coss, pF285.0
Crss, pF95.000
Qg, nC41.00
Qgs, nC11.00
Qgd, nC11.00
t on, nS12.00
t rise,ns5.00
t off,ns23.00
t fall,ns5.00
t rr, nS
Возможные корпусаTO-263
Производитель
  • Vishay (Siliconix,General Semiconductor) (http://www.vishay.com)
SQM40N10-30-GE3 Datasheet Vishay (Siliconix,General Semiconductor)