Справочник по полевым транзисторам. Datasheet на транзистор SIA850DJ-T1-GE3


ТранзисторSIA850DJ-T1-GE3
ТипN
Vds, V190
Vgs, V1.4
Idr, A0.95000
Idm, A
Eas,mJ
Ear,mJ
dV/dt,V/ns
P, W7.000
t min, °C
t max, °C
Rth, C0.000
Rds, Ohm3.80000
Ciss, pF90.0
Coss, pF
Crss, pF
Qg, nC4.50
Qgs, nC
Qgd, nC
t on, nS
t rise,ns
t off,ns
t fall,ns
t rr, nS
Возможные корпусаDFN2x2-6
Производитель
  • Vishay (Siliconix,General Semiconductor) (http://www.vishay.com)
SIA850DJ-T1-GE3 Datasheet Vishay (Siliconix,General Semiconductor)