Справочник по полевым транзисторам. Datasheet на транзистор SIHB30N60E-GE3


ТранзисторSIHB30N60E-GE3
ТипN
Vds, V600
Vgs, V4.0
Idr, A29.00000
Idm, A
Eas,mJ
Ear,mJ
dV/dt,V/ns
P, W250.000
t min, °C
t max, °C
Rth, C0.000
Rds, Ohm0.12500
Ciss, pF2600.0
Coss, pF
Crss, pF
Qg, nC130.00
Qgs, nC
Qgd, nC
t on, nS
t rise,ns
t off,ns
t fall,ns
t rr, nS
Возможные корпусаTO-263
Производитель
  • Others ()
SIHB30N60E-GE3 Datasheet Vishay (Siliconix,General Semiconductor)