Справочник по полевым транзисторам. Datasheet на транзистор IPD530N15N3G


ТранзисторIPD530N15N3G
ТипN
Vds, V150
Vgs, V20.0
Idr, A21.00000
Idm, A84.0
Eas,mJ60.0
Ear,mJ
dV/dt,V/ns
P, W68.000
t min, °C-55
t max, °C175
Rth, C2.200
Rds, Ohm0.04400
Ciss, pF667.0
Coss, pF80.0
Crss, pF3.400
Qg, nC8.70
Qgs, nC3.80
Qgd, nC1.50
t on, nS9.00
t rise,ns9.00
t off,ns13.00
t fall,ns3.00
t rr, nS80.0
Возможные корпусаTO-252
Производитель
  • Infineon (Siemens) (http://infineon.com)
IPD530N15N3G Datasheet Infineon (Siemens)